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碳化硅拋光液簡介

碳化硅拋光液 MYH-SCPS500 是第三代半導體碳化硅材料加工的核心精密拋光耗材，通過化學機械協(xié)同拋光，實現(xiàn)碳化硅晶片 / 器件表面原子級平坦化，精準控制表面粗糙度與面型精度，消除加工損傷層，保障碳化硅基器件在光電、半導體領(lǐng)域的高性能應用。

超凈拋光（行業(yè)術(shù)語）：通過化學腐蝕 + 機械研磨雙重作用，去除碳化硅加工產(chǎn)生的刀紋、變質(zhì)層及亞表面損傷，將表面粗糙度控制在納米 / 原子級（Ra≤0.1nm），實現(xiàn)：

1. 低缺陷制備，提升器件成品率；
2. 保證襯底外延生長均勻性，夯實芯片制造基礎(chǔ)；
3. 優(yōu)化器件表面性能，提升耐磨性、密封性與光電傳輸效率。

產(chǎn)品特點

1. 磨料精準：磨料，粒徑分布窄，原子級去除，無深層劃痕與亞表面損傷；
2. 高效協(xié)同：化學腐蝕與機械切削精準配比，拋光效率提升 30% 以上；
3. 懸浮穩(wěn)定：特殊分散體系，久置不分層不團聚，拋光面型一致性≤5nm；
4. 環(huán)保易清：水性體系，無有害殘留，純水可快速沖凈，無二次污染；
5. 適配性強：兼容各類碳化硅制品，適配單面 / 雙面拋光機、CMP 拋光設(shè)備等主流設(shè)備；
6. 面型可控：拋光后無翹曲、塌邊，精準把控 TTV、Bow、Warp 等面型參數(shù)。

應用范圍

核心用于碳化硅材料粗拋、精拋及超精密拋光，消除加工損傷、實現(xiàn)原子級平坦化，適用于：

?  碳化硅晶片：4H/6H-SiC 單晶襯底、外延片及 2/4/6/8 寸晶圓片粗磨，晶片減薄后表面粗磨修復；

?  碳化硅器件：功率 / 射頻器件、光電探測器 / 激光器、MEMS 傳感器芯片的碳化硅基底粗磨；

?  碳化硅結(jié)構(gòu)件：工業(yè)耐磨件、航空航天耐高溫件、光學儀器元件的粗磨成型；

?  其他硬脆材料：藍寶石、氮化鎵晶片，石英玻璃、氧化鋯陶瓷及半導體設(shè)備精密陶瓷部件粗磨預處理。

常見類型

1. 專用粗拋液：切削力強，快速去除加工損傷層，材料去除速率 0.8-1.2μm/min；
2. 專用精拋液：磨料更細，實現(xiàn) Ra≤0.1nm 超鏡面拋光，無亞表面損傷；
3. 二合一拋光液：集成粗拋 + 精拋功能，簡化流程，加工效率提升 50%。

儲存與使用

1. 溫度：5℃~30℃，防凍（<0℃體系失效、磨料團聚）、防高溫（>30℃組分變質(zhì)），遠離明火熱源；
2. 儲存：密封存放于干燥通風處，避免陽光直射，開封后盡快使用；
3. 使用：使用前充分攪拌均勻，可按需稀釋，搭配專用拋光墊，拋光后立即用純水沖洗工件。